
Pin mặt trời hai mặt có hiệu quả vượt trội nhờ sử dụng kỹ thuật laser doping, Interesting Engineering hôm 23/8 đưa tin. Đây là kỹ thuật dùng laser để tăng độ dẫn điện cục bộ, được đánh giá là đầy hứa hẹn vì có nhiều ưu điểm, bao gồm việc sử dụng được ở nhiệt độ phòng, dễ kiểm soát một vài thông số. Ngoài ra, đây cũng là biện pháp chi phí thấp và phù hợp với công nghiệp để tăng hiệu quả của pin mặt trời.
Nhờ laser doping, nhóm chuyên gia phát triển loại pin silicon hai mặt với hiệu suất chuyển đổi năng lượng phía trước là 24,3%, phía sau là 23,4%. Như vậy, tỷ lệ hiệu quả của mặt sau so với mặt trước lên tới 96,3%. Các chuyên gia cho biết, loại pin mới có hiệu quả sản xuất điện là 29%, vượt xa pin silicon một mặt tốt nhất. Kết quả đã được kiểm chứng độc lập bởi Tổ chức Nghiên cứu Khoa học và Công nghiệp Australia (CSIRO).
"Đây là kỷ lục thế giới với pin mặt trời sử dụng laser doping. Thiết bị mới cũng nằm trong số pin mặt trời hai mặt có hiệu suất cao nhất", tiến sĩ Marco Ernst, trưởng nhóm nghiên cứu, cho biết.
Pin hai mặt tạo ra năng lượng từ cả hai phía. Nó có thể đón lượng ánh sáng được phản chiếu lại và chuyển thành điện năng. Theo tiến sĩ Kean Chern Fong, loại pin này hoạt động tốt hơn nhiều pin silicon một mặt, giúp tăng hiệu quả cho các dự án quang năng.
Ý kiến ()